预计GaO的市场机会将会率先出现在市场门槛较低、成本敏感的消费电子、家电以及能发挥材料高可靠、高性能的工业电源等领域，并将在2025年至2030年开始全面渗透车载和电气设备领域。

1、 新能源车OBC/逆变器/充电桩

渗透率加大以及400V→800V升级。GaO有望以性能和成本优势取胜。

2、 DCDC：12V/5V→48V转换

电力电子领域，使用低于60V的电压不需要采取额外的安全防护措施，48V电池的充电电压最高56V，已经很接近60V，因此业界规定了48V电池电压是安全电压下的最高电压等级。随着锂电池的广泛使用，可以用更高的电压系统取代铅蓄电池12V电压系统，实现高效、减重、节能的目的。这些锂电池系统内将广泛采用48V电压，一般所使用的功率器件要按照至少2倍系统供电电压算额定耐压值，即48V系统对耐压100~120V规格的器件产生了明确的需求。GaO、GaN和硅基SG-MOS器件等100V耐压大电流器件正在瞄准这个应用发力，GaO可以发挥高可靠、高性能、低成本的优势在这一市场有所作为。

3、 IGBT的存量市场

当前在高压、高功率领域应用的功率器件以IGBT为主。绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）是20世纪80年代后期发展起来的，IGBT是功率MOSFET和BJT的复合。功率MOSFET的特点是驱动功率小、开关速度快；BJT的特点是通态压降小、载流能力大，所以IGBT集中了BJT和MOSFET的优点，具有很好的抗击穿性。但是由于IGBT的双极特性（电子和空穴均参与导电），使得该器件在关闭过程中存在较长的拖尾时间，极大的影响了该器件的工作频率，一般为低于20kHz，最高也不过40-50kHz，开通关断导致的损耗会比较大，这是其相对于MOSFET的明显劣势，加之IGBT的价格远高于MOSFET，所以低压、小功率的环境下MOSFET使用更为广泛，高压、大功率的情况下IGBT更为适用。

目前第三代半导体的火爆，就是因为新的材料体系可以在高压、大功率情况下采用单极器件，即使用SiC MOSFET、GaN HEMT、GaO FET，取代硅基的IGBT，除了产品可靠性、电流能力、成本下降空间尚需要一定时间验证外，几乎全面实现了前面所提到功率器件发展的所有诉求。而大规模制造和应用会带来成本和售价的降低，从而继续巩固市场主流技术地位，这也是超/宽禁带半导体应用的前景。在单极器件刚刚导入上述市场的阶段，技术路线尚未定型，具备诸多优势的新材料将迎来崭新的机遇。

而GaO既能做高耐压，也可实现大电流能力，相较于当前SiC器件过流能力不超过200A的规格限制，可达到数百A甚至上千A，性能优秀且成本更低，在大功率应用（如电力）当中可直面挑战IGBT上千甚至数千A的霸主地位。